プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999212871
Publication number (International publication number)：2001035694
Application date： Jul. 27, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】小型で、均質なプラズマを安定して生成することができ、厚物の被処理物をプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】チャンバー1内に高圧電極2と接地電極3を設ける。チャンバー1内にプラズマ生成用ガスを導入すると共に高圧電極2と接地電極3の間に交流電界を印加することにより、高圧電極2と接地電極3の間に大気圧下で誘電体バリア放電を発生させる。この誘電体バリア放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成すると共にこのプラズマで高圧電極2と接地電極3の間に導入された被処理物4をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関する。被処理物4を搬送するための搬送手段をチャンバー1内で且つ高圧電極2と接地電極3の間の対向スペース以外の箇所に設ける。搬送手段がチャンバー1外に大きく突出しないようにすることができる。

Claim (excerpt)：

チャンバー内に高圧電極と接地電極を設け、チャンバー内にプラズマ生成用ガスを導入すると共に高圧電極と接地電極の間に交流電界を印加することにより、高圧電極と接地電極の間に大気圧下で誘電体バリア放電を発生させ、この誘電体バリア放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成すると共にこのプラズマで高圧電極と接地電極の間に導入された被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、被処理物を搬送するための搬送手段をチャンバー内で且つ高圧電極と接地電極の間の対向スペース以外の箇所に設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H05H 1/46 , C23C 14/00

FI (2)：

H05H 1/46 A , C23C 14/00 B

F-Term (3)：

4K029DC35 , 4K029KA01 , 4K029KA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (14)

多孔体の改質処理方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-143105 Applicant：森勇藏, 日東電工株式会社
特開昭59-208836
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-178476 Applicant：株式会社東芝

Show all

Cited by examiner (14)

多孔体の改質処理方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-143105 Applicant：森勇藏, 日東電工株式会社
特開昭59-208836
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-178476 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page