ナノインプリント用の膜形成組成物およびパターン形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：正林真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005262009
Publication number (International publication number)：2007072374
Application date： Sep. 09, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】酸素ガスに対するエッチング耐性に優れるとともに、転写パターンの剥離を防止し、基板上における保持時間についての問題を解消し、転写性にも優れるナノインプリント用の膜形成組成物及び感光性レジスト、ナノ構造体、これらを用いたパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を実現するためのプログラムを提供する。【解決手段】光硬化反応を生じる機能を有する高分子ケイ素化合物を含むナノインプリント用の膜形成組成物。高分子ケイ素化合物は、電磁波に感応して開裂する官能基を有し、電磁波照射によって硬化反応を生じるものであることが好ましく、シロキサン系高分子化合物、シリコンカーバイド系高分子化合物、ポリシラン系高分子化合物、およびシラザン系高分子化合物またはこれらの任意の混合物であることがさらに好ましい。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

光硬化反応を生じる機能を有する高分子ケイ素化合物を含むことを特徴とするナノインプリント用の膜形成組成物。

IPC (4)：

G03F 7/075 , H01L 21/027 , B82B 1/00 , B82B 3/00

FI (4)：

G03F7/075 511 , H01L21/30 502D , B82B1/00 , B82B3/00

F-Term (22)：

2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AA17 , 2H025AB14 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AB20 , 2H025BC77 , 2H025BC78 , 2H025BC92 , 2H025BC93 , 2H025BD23 , 2H025BD54 , 2H025BD55 , 2H025BJ10 , 2H025CA00 , 2H025CA48 , 2H025CC04 , 2H025FA00 , 2H025FA30 , 5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第5772905号明細書
SOGを用いた室温ナノ-インプリント-リソグラフィー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-293718 Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (8)

硬化性樹脂組成物、及び光学物品、並びにそれを用いた画像表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-328560 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ナノインプリントレジスト
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-584817 Applicant：クラリアント・ゲーエムベーハー
チキソトロピック層をエンボスすることによって微細構造化表面レリーフを製造するための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-551628 Applicant：インスティトゥートフィアノイエマテリアーリエンゲマインニュッツィゲゲゼルシャフトミットベシュレンクタハフトゥンク

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

A Photocurable Poly(dimethyl siloxane) Chemistry Designed for Soft Lithographic Molding and Printing

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