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J-GLOBAL ID：200903002159746559

単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子

Inventor：
渡辺 健一

About 渡辺 健一


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003369679
Publication number (International publication number)：2005136106
Application date： Oct. 29, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：
【課題】従来のステッパーのような複雑な光学系を持つ高価な設備を使うことなく、ナノインプリント法による簡便で量産に適し、しかも安価な設備を用いて、サファイア基板の表面にミクロンからサブミクロンオーダーの凹凸を形成する。さらに、この様にして作製した凹凸を形成したサファイア基板を用いて光り取り出し効率の高い半導体発光素子を作製する。【解決手段】主面上に複数の凹凸を有する半導体素子用単結晶サファイア基板において、該凹凸の形成にリソグラフィー法として、ナノインプリント法を用いる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
主面上に複数の凹凸を有する単結晶サファイア基板の製造方法において、リソグラフィー法としてインプリント法を用いることにより上記凹凸に合致したパターンのマスクを形成する工程を含む単結晶サファイア基板の製造方法。
IPC (6)：
H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/00
FI (6)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01L21/302 105A
F-Term (34)：
5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004EA05 ,  5F004EB08 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EK28 ,  5F045GB04 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046CB27 ,  5F052DA04 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (6)
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