半導体発光素子およびその製法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997125167
Publication number (International publication number)：1998321903
Application date： May. 15, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】高輝度の半導体発光素子およびそれを得るための製法を提供する。【解決手段】 n形クラッド層3とp形クラッド層5とにより活性層4が挟持される発光層形成部11を有する半導体発光素子であって、前記n形クラッド層の前記活性層側のキャリア濃度がノンドープもしくは5×1017cm-3以下で、前記活性層と反対側のキャリア濃度が7×1017〜7×1018cm-3に形成されている。

Claim (excerpt)：

n形クラッド層とp形クラッド層とにより活性層が挟持される発光層形成部を有する半導体発光素子であって、前記n形クラッド層の前記活性層側のキャリア濃度がノンドープもしくは5×1017cm-3以下で、前記活性層と反対側のキャリア濃度が7×1017〜7×1018cm-3である半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 A , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-270186
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-128311 Applicant：シャープ株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-242914 Applicant：株式会社東芝

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