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J-GLOBAL ID:200903041251228233
熱洗浄と熱処理との間のウェハ環境を制御するための装置および方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
坂口 博 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001073029
Publication number (International publication number):2001332602
Application date: Mar. 14, 2001
Publication date: Nov. 30, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 ウェハ温度および環境を制御するための装置および方法を提供すること。【解決手段】 装置10は、不活性または還元環境を有するRTPチャンバ(20)を含む。これは単一ウェハ16を保持するためのペデスタル24および、単一ウェハを均等かつ高速で加熱するように配置されたヒータ・ユニット22を含む。装置はまた、還元または不活性環境を持ち、RTPチャンバに隣接して配置され、かつそれに対して選択的に開口する冷却チャンバ30と、不活性または還元環境を持ち、1つまたは複数のウェハを保持するためのカセット44を有する第1ローディング・チャンバ40とカセット内のウェハの熱処理を実行するように配置されたLPCVD炉などの熱処理チャンバ50とを含み、ウェハを移送するウェハ・ハンドラ80〜83が温度制御される。
Claim (excerpt):
a)第1高温処理チャンバと、b)第2高温処理チャンバと、c)ウェハを前記第1高温処理チャンバから前記第2高温処理チャンバへ移送するための、温度制御されたウェハ・ハンドラとを含むマルチチャンバ・ツール。
IPC (5):
H01L 21/68
, B65G 49/00
, B65G 49/07
, C23C 16/44
, H01L 21/205
FI (5):
H01L 21/68 A
, B65G 49/00 A
, B65G 49/07 E
, C23C 16/44 F
, H01L 21/205
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-068189
Applicant:株式会社東芝
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半導体ウエハ製造方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-064527
Applicant:株式会社スーパーシリコン研究所
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半導体ウエハ製造方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-064526
Applicant:株式会社スーパーシリコン研究所
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特開平3-055840
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特開平3-131542
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特開平3-270126
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真空処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-168142
Applicant:東京エレクトロン株式会社, テル・バリアン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社
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半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-232417
Applicant:国際電気株式会社
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熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-130192
Applicant:東京エレクトロン東北株式会社
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特開平4-306824
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ロボットアーム付着色レジスト焼成用オーブンおよび着色レジスト焼成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-074219
Applicant:凸版印刷株式会社
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特開平2-073625
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薄膜形成装置及び薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-108125
Applicant:株式会社日立製作所
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