パワー半導体モジュール

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：下田容一郎 , 田宮寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007018445
Publication number (International publication number)：2007305962
Application date： Jan. 29, 2007
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：

【課題】高温であっても安定して高い信頼性で動作でき、ヒートシンクの体積を飛躍的に小型化でき、一体型回路基板の構造を単純化でき、製造工程の短縮化や低コスト化にも寄与できるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワー半導体モジュールは、金属基板電極14と絶縁基板15とヒートシンク12が接合された一体型回路基板11を有する。回路基板の金属基板電極上に半導体パワーデバイス13が接合される。この半導体パワーデバイスはSiC半導体パワーデバイスである。回路基板を構成する材料間の常温と接合時温度間の平均熱膨張係数差が2.0ppm/°C以下であり、また回路基板を構成する材料間の接合温度と動作最低温度の温度差で生じる伸びの差が2000ppm以下である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属基板電極と絶縁基板とヒートシンクが接合された一体型の回路基板を備え、前記回路基板の前記金属基板電極上に半導体パワーデバイスが接続され、前記回路基板を構成する材料間の常温と接合時温度間の平均熱膨張係数差が2.0ppm/°C以下であることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2)：

H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (1)：

H01L25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

パワー半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-048846 Applicant：東京タングステン株式会社, 三菱電機株式会社, 平井精密工業株式会社
半導体パッケ-ジと、それに用いる放熱基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-001772 Applicant：東京タングステン株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-138345 Applicant：三菱電機株式会社

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Cited by examiner (3)

フィン一体型放熱板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-288938 Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
モジュール型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-193800 Applicant：株式会社東芝
パワーモジュール及びヒートシンク付パワーモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-242349 Applicant：三菱マテリアル株式会社

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