平面加工装置及び平面加工方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松浦憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002140537
Publication number (International publication number)：2003007661
Application date： Nov. 11, 1999
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】ウェーハを破損させることなくスループットを向上させることができるウェーハの平面加工装置及び平面加工方法を提供する。【解決手段】本発明の平面加工装置10によれば、粗研削ステージ18、仕上げ研削ステージ20が設置された本体12に、研磨ステージ22が設置され、ウェーハ28の粗研削、精研削、及び研磨を同一の平面加工装置10内で実施する。また、研磨ステージ22の研磨布56を洗浄する洗浄ステージ23を平面加工装置10に設置し、研磨布56が汚れた時に、研磨布56を同一装置10内で洗浄する。また、エッチング装置150を平面加工装置10に設置したので、ウェーハ28の粗研削からエッチングまでの一連の平面加工を一つの装置で実施することができる。

Claim (excerpt)：

ワークを保持する保持手段と、ワークを研削する砥石を有し該砥石でワークの一方面を研削加工する研削手段とを備えた平面加工装置において、前記平面加工装置に、ワークの一方面を研磨する研磨手段を設け、前記研磨手段は、研磨ヘッドを回転させる回転手段、及び前記研磨ヘッドとワークとの間隔を設定する位置決め送り機構から構成されていることを特徴とする平面加工装置。

IPC (5)：

H01L 21/304 631 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , B24B 7/20 , B24B 37/04

FI (5)：

H01L 21/304 631 , H01L 21/304 621 B , H01L 21/304 622 R , B24B 7/20 , B24B 37/04 Z

F-Term (11)：

3C043BB00 , 3C043CC04 , 3C043CC07 , 3C043CC11 , 3C058AA04 , 3C058AA07 , 3C058AA18 , 3C058BC02 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

シリコンウエーハの製造方法、およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-148629 Applicant：信越半導体株式会社
研削研磨装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-191341 Applicant：ソニー株式会社
自動研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-111537 Applicant：日本電気株式会社, 株式会社岡本工作機械製作所

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

精密洗浄技術, 16、17
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