Pat

J-GLOBAL ID：200903042952405420

半導体装置およびその製造方法ならびに金属配線

Inventor： 竹脇 利至 ,  國嶋 浩之 ,  山本 悦章 ,  弘長 伸夫
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002264666
Publication number (International publication number)：2004096052
Application date： Sep. 10, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】銅含有金属配線を含む半導体装置の歩留を向上させる。【解決手段】銅含有金属により構成された第一の銅配線22aの上部にCuシリサイドを形成し、銅含有金属により構成された接続プラグ28と銅含有金属により構成された第二の銅配線22bとの間にバリアメタル膜24bを形成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、銅含有金属膜により構成された第一の配線を形成する工程と、 前記第一の配線を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜を選択的に除去して前記第一の配線の上面に達する接続孔を形成する工程と、 前記接続孔の内面を覆うバリアメタル膜を形成した後、前記接続孔を埋め込むように銅含有金属膜を形成する工程と、 前記接続孔外部に形成された前記銅含有金属膜を除去する工程と、 前記接続孔に形成された前記銅含有金属膜を覆うように絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜を選択的に除去することにより、底面に前記接続孔に形成された前記銅含有金属膜の露出する配線溝を形成する工程と、 前記配線溝の内面を覆うバリアメタル膜を形成した後、前記配線溝を埋め込むように銅含有金属膜を形成する工程と、 前記配線溝外部に形成された前記銅含有金属膜を除去することにより第二の配線を形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/768 ,  H01L21/3205

FI (3)：

H01L21/90 A ,  H01L21/88 Q ,  H01L21/88 R

F-Term (67)：

5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033LL07 ,  5F033LL08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP17 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ86 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX06 ,  5F033XX10 ,  5F033XX18 ,  5F033XX19 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039487   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-137144   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-220540   Applicant：松下電子工業株式会社
• ウエハの洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138365   Applicant：日本電気株式会社
• 低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-002113   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置、その製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-185275   Applicant：日本電気株式会社
• レベル間相互の接続構造および方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-179358   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-112999   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-324594   Applicant：株式会社日立製作所
• 特許第6181013号
  
• 特許第6211084号