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J-GLOBAL ID:200903043099522875
半導体冷却装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005011632
Publication number (International publication number):2006202899
Application date: Jan. 19, 2005
Publication date: Aug. 03, 2006
Summary:
【課題】 半導体モジュール32の冷却構造の組立て作業の負担を軽減し、冷却能力が高いレベルで安定した冷却装置を量産しやすい冷却装置を実現する【解決手段】 本発明の半導体冷却装置は、内部に冷却水通路26を形成するケース20aと、内部に半導体モジュールを収容し、その半導体のジュールの発生熱を放熱する放熱面を正面と背面に備えるブロック26bを備えている。そのブロック26bはその冷却水通路26に挿入されることによって冷却水通路26を区画しており、そのブロック26bの正面と背面はブロック26bによって区画された冷却水通路26に面している。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体を冷却する装置であり、
内部に冷媒通路を形成するケースと、
内部に半導体を収容し、その半導体の発生熱を放熱する放熱面を正面と背面に備える区画体と
を備え、
その区画体はその冷媒通路に挿入されることによって冷媒通路を区画しており、
その区画体の正面と背面は区画体により区画された冷媒通路に面している、
ことを特徴とする半導体冷却装置。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (3):
5F036AA01
, 5F036BA01
, 5F036BB05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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冷媒冷却型両面冷却半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-172091
Applicant:株式会社デンソー
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大電力高周波誘導加熱用トランジスタインバータ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-331633
Applicant:株式会社ミヤデン
-
平形半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-195461
Applicant:富士電機株式会社
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水冷式半導体素子スタックの冷却体およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-258238
Applicant:富士電機株式会社
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Cited by examiner (2)
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電力用半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-280665
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体装置の冷却構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-160175
Applicant:トヨタ自動車株式会社
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