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J-GLOBAL ID：200903043792452058

半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法

Inventor： アルフレート ゲアラッハ ,  ニン クゥ
Applicant, Patent owner： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Agent (3)： 矢野 敏雄 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007539567
Publication number (International publication number)：2008519448
Application date： Oct. 21, 2005
Publication date： Jun. 05, 2008
Summary：

本発明は半導体デバイスおよびその製造方法に関する。本発明の半導体デバイスはPNダイオードの組み込まれたトレンチジャンクションバリア型ショットキーダイオードである。

Claim (excerpt)：

PNダイオードの組み込まれたトレンチジャンクションバリア型ショットキーダイオードを含むことを特徴とする半導体デバイス(30,40,50,60,70)。

IPC (4)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/866

FI (3)：

H01L29/48 F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/90 D

F-Term (8)：

4M104BB01 ,  4M104BB39 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開昭61-147570
  
• ショットキーダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-242831   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-105975
  
• 特開平3-105975
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-285651   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057163   Applicant：新電元工業株式会社
• アキュミュレーションモード電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-160631   Applicant：シリコニックス・インコーポレイテッド
• 高耐圧半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-076252   Applicant：株式会社東芝
• 炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-525771   Applicant：サイスドエレクトロニクスデヴェロプメントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニコマンディートゲゼルシャフト
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-097554   Applicant：新電元工業株式会社