半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：矢野敏雄 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007539567
Publication number (International publication number)：2008519448
Application date： Oct. 21, 2005
Publication date： Jun. 05, 2008
Summary：

本発明は半導体デバイスおよびその製造方法に関する。本発明の半導体デバイスはPNダイオードの組み込まれたトレンチジャンクションバリア型ショットキーダイオードである。

Claim (excerpt)：

PNダイオードの組み込まれたトレンチジャンクションバリア型ショットキーダイオードを含むことを特徴とする半導体デバイス(30,40,50,60,70)。

IPC (4)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861 , H01L 29/866

FI (3)：

H01L29/48 F , H01L29/91 D , H01L29/90 D

F-Term (8)：

4M104BB01 , 4M104BB39 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭61-147570
ショットキーダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-242831 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-105975

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