Pat
J-GLOBAL ID：200903044039602116
ポジ型フォトレジスト組成物
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001100300
Publication number (International publication number)：2002296779
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】半導体デバイスの製造において、コンタクトホールパターンやトレンチパターンについても良好な解像性を有し、疎密依存性も小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び下記一般式(CI)で表される化合物、一般式(CII)で表される化合物、及び下記一般式(CIII)で示される多環式構造上に酸不安定性基により保護されているカルボン酸基を含む置換基を少なくともひとつ有する構造の溶解阻止化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt)：
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I-1)〜(I-4)の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び(C)下記一般式(CI)で表される化合物、一般式(CII)で表される化合物、及び下記一般式(CIII)で示される多環式構造上に酸不安定性基により保護されているカルボン酸基を含む置換基を少なくともひとつ有する構造を、少なくとも二つ有する化合物から選ばれる少なくともひとつの化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】【化3】一般式(I-1)〜(I-4)中;R1〜R5は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。R1〜R5の内の2つは、結合して環を形成してもよい。一般式(CI)中、Xは、酸素原子、硫黄原子、-N(R53)-、又は単結合を表す。R51、R52及びR53は、各々独立に水素原子又はアルキル基を表し、R’は、-COOR’で酸分解性基を構成する基を表す。Rは有橋式炭化水素、飽和環式炭化水素またはナフタレン環を含むn1 価の残基を表す。n1は1〜4の整数を示し、q1は0〜10の整数を示す。一般式(CII)中、R60は、アルキル基又はハロゲン原子を表し、R61は、-O-R61で酸分解性基を構成する基を表し、m1は0〜4の整数を示す。p1は1〜4の整数を示す。
IPC (6)：
G03F 7/039 601
, C08K 5/00
, C08L101/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/20 502
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, C08K 5/00
, C08L101/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/20 502
, H01L 21/30 502 R
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 2H097CA13
, 2H097FA03
, 2H097LA10
, 4J002BG041
, 4J002BG071
, 4J002BG131
, 4J002EB116
, 4J002EU026
, 4J002EU036
, 4J002EU186
, 4J002EU216
, 4J002EV236
, 4J002EV296
, 4J002FD146
, 4J002FD206
, 4J002GP03
Cited by examiner (8)
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