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J-GLOBAL ID：200903044546916610

薬液処理方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 早崎 圭 ,  桜井 秀昭 ,  伊藤 信一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001290111
Publication number (International publication number)：2003100594
Application date： Sep. 21, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】被加工膜が形成された被処理基板上に、該被加工膜を加工する薬液を供給する際、被加工膜の加工寸法の面内均一性の向上をはかること。【解決手段】 被加工膜が形成された被処理基板上に、該被加工膜を加工する薬液を供給し、前記被処理基板上に薬液膜を形成するステップS102と、前記薬液膜を薄膜化するステップS103と、薄膜化された薬液膜の表面に接触する気流を形成し、前記薬液膜を前記被処理基板上に保持しつつ、前記薬液膜中に薬液の流れを形成するステップS104とを含む。

Claim (excerpt)：

被加工膜が形成された被処理基板上に、該被加工膜を加工する薬液を供給し、前記被処理基板上に薬液膜を形成するステップと、前記薬液膜を薄膜化するステップと、薄膜化された薬液膜の表面に接触する気流を形成し、前記薬液膜を前記被処理基板上に保持しつつ、前記薬液膜中に薬液の流れを形成するステップとを含むことを特徴とする薬液処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  B05D 1/40 ,  B05D 3/04 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/306

FI (5)：

B05D 1/40 A ,  B05D 3/04 Z ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/30 569 C ,  H01L 21/306 J

F-Term (22)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096GA30 ,  4D075AC64 ,  4D075AC84 ,  4D075AC92 ,  4D075BB57Y ,  4D075CA48 ,  4D075DA08 ,  4D075DC21 ,  4D075DC27 ,  4D075EA45 ,  5F043CC12 ,  5F043CC14 ,  5F043DD30 ,  5F043EE08 ,  5F043EE27 ,  5F043GG10 ,  5F046LA04 ,  5F046LA06 ,  5F046LA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 薬液処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-039683   Applicant：株式会社東芝
• 現像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-034874   Applicant：九州日本電気株式会社
• フォトレジスト現像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-133195   Applicant：日本電気株式会社
• 現像装置および現像方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-113960   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• 特開昭61-082432
  
• 基板の現像処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-211298   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 処理方法及び処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-332289   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 現像装置及び現像処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-042770   Applicant：東京エレクトロン株式会社