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J-GLOBAL ID：200903044600876000

磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor：
青島 賢一

About 青島 賢一

, 
船橋 信彦

About 船橋 信彦

, 
町田 賢司

About 町田 賢司

, 
久我 淳

About 久我 淳


Applicant, Patent owner：
日本放送協会

About 日本放送協会


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006222707
Publication number (International publication number)：2008047739
Application date： Aug. 17, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：
【課題】デュアル構成のMR素子を使ったMRAMにおいて、さらに書き込み電流を低減し、MR素子の再生出力を向上させる。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、2層以上の強磁性層を、間に非磁性中間層を介して積層した積層構造を具備し、前記積層構造中、前記強磁性層の一が情報を磁化の形で保持する記録層を構成し、書き込み電流を前記積層構造の上端と下端の間で流す構成の磁気抵抗素子を含み、少なくとも一の強磁性層がホイスラー型合金膜を含む。【選択図】図3B
Claim (excerpt)：
2層以上の強磁性層を、間に非磁性中間層を介して積層した積層構造を具備し、前記積層構造中、前記強磁性層の一が情報を磁化の形で保持する記録層を構成し、書き込み電流を前記積層構造の上端と下端の間で流す構成の磁気抵抗素子を含む磁気ランダムアクセスメモリにおいて、 少なくとも一の強磁性層がCo2YX(Y=Fe,Mn,Cr,X=Al,Si,Ge,Sb,Ga)型のホイスラー型合金膜を含むことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (6)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32
FI (5)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/32
F-Term (35)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119DD10 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119JJ03 ,  5E049AA04 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC46 ,  5F092CA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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