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J-GLOBAL ID:200903045206445407
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999281710
Publication number (International publication number):2001102198
Application date: Oct. 01, 1999
Publication date: Apr. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】 小型に形成することが可能になり、またプラズマ処理を安定して均一に行なうことができると共に厚物の被処理物でもプラズマ処理が可能になるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 少なくとも一対の電極2,3をチャンバー1内に互いに上下に対向して配設すると共に対をなす電極2,3の少なくとも一方の表面に絶縁材4を設け、電極2,3間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に、対をなす電極2,3間に電界を負荷して大気圧下でグロー放電を発生させることによって、このグロー放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成させ、搬送手段6で対をなす電極2,3間に導入して搬送される被処理物5の表面をこのプラズマで処理するようにしたプラズマ処理装置に関する。被処理物5を搬送する搬送手段6を上下に対向して配設される電極2,3のうち下側に配置される電極3で形成する。
Claim (excerpt):
少なくとも一対の電極をチャンバー内に互いに上下に対向して配設すると共に対をなす電極の少なくとも一方の表面に絶縁材を設け、電極間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に、対をなす電極間に電界を負荷して大気圧下でグロー放電を発生させることによって、このグロー放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成させ、搬送手段で対をなす電極間に導入して搬送される被処理物の表面をこのプラズマで処理するようにしたプラズマ処理装置において、被処理物を搬送する搬送手段を上下に対向して配設される電極のうち下側に配置される電極で形成して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3):
H05H 1/24
, C23C 14/56
, H01L 21/3065
FI (3):
H05H 1/24
, C23C 14/56 G
, H01L 21/302 H
F-Term (11):
4K029FA05
, 4K029KA03
, 4K029KA09
, 5F004BA06
, 5F004BC06
, 5F004CA05
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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