ナノインプリントリソグラフィ用の原版の欠陥修正方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松下義治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003200276
Publication number (International publication number)：2005044843
Application date： Jul. 23, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：

【課題】ナノインプリントリソグラフィ用の原版の欠陥を修正し、無欠陥の原版を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィで荷電粒子ビームをナノインプリントリソグラフィ用の原版の黒欠陥修正や白欠陥修正に利用する。黒欠陥修正はエッチング用ガス導入系6からアシストガスまたはエッチングガスを導入し、荷電粒子ビーム4を黒欠陥領域3のみに選択照射して原版の凹部の高さまでエッチングし黒欠陥3を修正する。白欠陥修正はデポジション用ガス導入系9から原料ガスを導入し、荷電粒子ビーム4を白欠陥領域7のみに選択照射して白欠陥修正膜8を、原版の凸部の高さまで堆積させる。あるいは被加工材質よりも硬い原子間力顕微鏡の探針5を用いて黒欠陥3をスクラッチングで原版の凹部の高さまで物理的に除去する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ナノインプリントリソグラフィ用の原版の白欠陥を、集束イオンビーム装置にてその位置と大きさを認識した後、前記白欠陥部分に、前記集束イオンビーム装置を用いて原版として十分な強度を持ち、かつ、光硬化樹脂やレジスト材料と反応しない堆積物を正常パターンと同じ高さになるように形成することにより白欠陥を修正することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用の原版の欠陥修正方法。

IPC (1)：

H01L21/027

FI (1)：

H01L21/30 502D

F-Term (2)：

5F046AA17 , 5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-130608 Applicant：日本電気株式会社
フォトマスクの白欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-388869 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
パターン膜修正方法とその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-129260 Applicant：セイコー電子工業株式会社

Show all

Return to Previous Page