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J-GLOBAL ID:200903045354791683
半導体積層構造、トランジスタ素子、およびトランジスタ素子の製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004092615
Publication number (International publication number):2005277358
Application date: Mar. 26, 2004
Publication date: Oct. 06, 2005
Summary:
【課題】閾値電圧の制御性が高いHEMT素子とこれを実現する半導体積層構造を提供する。【解決手段】HEMT素子20において、InGaNからなるチャネル層9の途中にp型半導体層4を介在させる。p型半導体層4より上部の第2チャネル層5を構成するInGaNのバンドが持ち上げられることで、閾値電圧を高くすることができる。InGaNのバンドが、フェルミ準位にまで持ち上げられると、ゲートバイアス電圧が0Vの時にピンチオフするHEMT素子が実現される。ドープ量が少ないので、ドーパントがMgであっても、MOCVDによる層形成時のメモリー効果が十分に抑制される。p型半導体層4の形成位置がヘテロ界面から離れているので、電子供給層11へのMgの拡散も生じにくい。2次元電子ガス発生領域のp型ドーパント濃度が小さいので、不純物散乱による電子移動度低下も生じにくい。【選択図】図1
Claim (excerpt):
所定の基材と、
前記基材の上に形成され、GaおよびInのうち少なくとも1つを含む第1のIII族窒化物からなるチャネル層と、
前記チャネル層の上に形成され、第2のIII族窒化物からなる電子供給層と、
を備える半導体積層構造であって、
Al、GaおよびInのうち少なくとも1つを含む第3のIII族窒化物に所定のp型ドーパントがドープされてなるp型半導体層、
をさらに備え、
前記p型半導体層は、前記電子供給層の形成位置との間に前記チャネル層の一部が介在する位置に形成されてなる、
ことを特徴とする半導体積層構造。
IPC (4):
H01L21/338
, H01L21/205
, H01L29/778
, H01L29/812
FI (2):
F-Term (33):
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045AD09
, 5F045AD12
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045CA07
, 5F045EB13
, 5F045HA16
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GL07
, 5F102GL08
, 5F102GL14
, 5F102GL16
, 5F102GL17
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GR07
, 5F102HC01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-022516
Applicant:日本電気株式会社
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特許3428962号公報
Cited by examiner (8)
-
特開平4-015929
-
特開平2-005439
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-080242
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-157830
Applicant:松下電器産業株式会社
-
化合物半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-190006
Applicant:信越半導体株式会社
-
窒化物系III-V族化合物半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-266117
Applicant:シャープ株式会社
-
高電子移動度トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-041557
Applicant:古河電気工業株式会社
-
高電子移動度トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-375190
Applicant:古河電気工業株式会社
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