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J-GLOBAL ID：200903055995181481

3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
小池 正好

About 小池 正好

, 
山崎 史郎

About 山崎 史郎


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996281873
Publication number (International publication number)：1998107320
Application date： Oct. 02, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】3族窒化物半導体を用いた発光素子の素子特性を向上させること。【解決手段】発光層5は、膜厚約5nmのAl0.05Ga0.95N から成る4層のバリア層51と膜厚約5nmのシリコンと亜鉛がそれぞれ5×1018/cm3 の濃度に添加されているIn0.20Ga0.80N から成る3層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造である。この発光層5に窒素のイオンインプランテーションを行うことによりストライプ状の高抵抗領域6を形成し、その後熱処理をすることにより高抵抗領域6に挟まれた非高抵抗領域の井戸層52aを所定の幅より狭くすることにより量子細線構造の発光層を作製したために、発光効率が向上し、又、発光スペクトルの半値幅が狭くなった。
Claim (excerpt)：
発光層を量子細線構造としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/265
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/265 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
  • 窒化物半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-157812   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181573   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-233442   Applicant：理化学研究所, 田中悟
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