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J-GLOBAL ID:200903045586141995

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999295958
Publication number (International publication number):2000200697
Application date: Oct. 18, 1999
Publication date: Jul. 18, 2000
Summary:
【要約】【課題】 ストリーマー放電の発生を防ぐとともに、被処理物の大面積を効率良くプラズマ処理できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 このプラズマ処理装置は、少なくとも一対の電極と、電極間に定義される放電空間にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段と、電極間に交流電圧を印加して、放電空間にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するための電力供給手段とを含むものであり、一対の電極の少なくとも一方は、その外表面に誘電体層を有し、一対の電極の少なくとも一方は、放電空間に突出する曲面を有することを特徴とする。電極は、円筒状構造であることが好ましく、特に、プラズマ処理中、電極温度を下げるために円筒電極の内部に冷却材を供給する冷却材供給手段を設けることが好ましい。
Claim (excerpt):
少なくとも一対の電極と、プラズマ生成用ガスを前記電極間に定義される放電空間に供給するガス供給手段と、前記電極間に交流電圧を印加して、前記放電空間にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するための電力供給手段とを含み、前記放電空間の下流側に配置された被処理物を前記プラズマで処理するためのプラズマ処理装置において、前記一対の電極の少なくとも一方は、その外表面に誘電体層を有し、前記一対の電極の少なくとも一方は、前記放電空間に突出する曲面を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6):
H05H 1/46 ,  C23C 16/503 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/24 ,  H01J 27/16
FI (6):
H05H 1/46 A ,  C23C 16/503 ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/24 ,  H01J 27/16 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (13)
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Cited by examiner (13)
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