Pat
J-GLOBAL ID：200903096271086949

プラズマ処理装置

Inventor：
スニル ウィクラマナヤカ

About スニル ウィクラマナヤカ


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997291712
Publication number (International publication number)：1998189293
Application date： Oct. 08, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【解決手段】 プラズマ処理装置のための反応容器1 は、基板処理基板17を処理するプラズマを作るようにプラズマ放電を発生させるソースチャンバ11と、基板ホルダ16上に基板17が配置されるプロセスチャンバ12を備える。高周波電流が流れる平行な複数の導電性ロッド23は、ソースチャンバにおける対向する壁の間、または上部の誘電体スラブ62の中に、配置される。前者の場合、各導電性ロッドは誘電体材料で作られた円筒型チューブ21で被覆され、当該円筒型チューブの両端は対向する壁に気密に固定される。
Claim (excerpt)：
基板を処理するプラズマを作るようにプラズマ放電を発生させる上部分と基板ホルダ上に基板が配置される下部分とを含む反応容器と、前記基板ホルダの上方に配置されかつ高周波電流が流れる平行な複数の導電性ロッドとから構成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4)：
H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
Show all
Cited by examiner (11)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM