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J-GLOBAL ID：200903045737864587

光導波路デバイスの作製方法

Inventor：
小山 健二

About 小山 健二

, 
服部 哲也

About 服部 哲也

, 
瀬村 滋

About 瀬村 滋


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000385554
Publication number (International publication number)：2002189139
Application date： Dec. 19, 2000
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】 コア領域に歪みが発生するのを抑えることにより偏波依存性損失が低減された光導波路デバイスを提供する。【解決手段】 本発明に係る光導波路デバイスの作製方法によれば、プラズマCVD装置を用いて、高周波電力値同一の下で、石英基板1上にアンダークラッド層2とコア層3と、さらにコア層3の上に、屈折率がアンダークラッド層2と等しいキャップ層4とが順次形成される。そして、コア領域の形成後、コア領域が形成された石英基板1上に、オーバークラッド層5が形成される。この形成時には、高周波電力の出力値が、アンダークラッド層2等の形成時の高周波出力値から徐々に上昇される。これにより、コア領域は、略同一の密度を有する酸化ケイ素膜で囲まれることとなり、コア領域に応力が加わることはない。よって、コア領域の歪みの発生が抑えられ、偏波依存性損失が低減される。
Claim (excerpt)：
プラズマ気相堆積装置を用いてクラッド領域とコア領域とを含む光導波路層を基板上に形成し、光導波路デバイスを作製する作製方法であって、前記プラズマ気相堆積装置を用いて、所定の高周波電力値にて、下部クラッド層と、コア層と、屈折率が前記下部クラッド層と等しいキャップ層とを前記基板上に順次形成した後、前記キャップ層及び前記コア層の所定の一部を除去することにより、上部に前記キャップ層を有しており、光が閉じ込められて伝搬される前記コア領域を形成し、前記上部にキャップ層を有する前記コア領域を備えた前記基板上に、前記プラズマ気相堆積装置を用いて上部クラッド層を形成するに際して、前記高周波電力値を前記所定の高周波電力値と等しい値から漸次増加させる、ことを特徴とする光導波路デバイスの作製方法。
IPC (2)：
G02B 6/13 ,  G02B 6/122
FI (2)：
G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 A
F-Term (4)：
2H047KA04 ,  2H047PA05 ,  2H047QA07 ,  2H047TA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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