Pat
J-GLOBAL ID：200903047068961159

窒化物半導体ウェハ

Inventor：
岡川 広明

About 岡川 広明

, 
平岡 晋

About 平岡 晋


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006163084
Publication number (International publication number)：2007335484
Application date： Jun. 13, 2006
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：
【課題】ラテラル成長技術を用いて製造される新規な窒化物半導体ウェハを提供することを目的とする。【解決手段】異種基板1と、異種基板1上に成長した窒化物半導体結晶層3と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層3が、第1結晶層31と、第1結晶層31を下地層として成長した第2結晶層32とを含んでおり、第2結晶層32の少なくとも一部にはMgが添加されており、第1結晶層31と第2結晶層32との間にはマスク層Mが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層3が、更に、第2結晶層32の上にMg拡散防止層33を含んでいる。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
異種基板と、該異種基板上に成長した窒化物半導体結晶層と、からなる窒化物半導体ウェハであって、 前記窒化物半導体結晶層が、第1結晶層と、第1結晶層を下地層として成長した第2結晶層とを含んでおり、 第2結晶層の少なくとも一部にはMgが添加されており、 第1結晶層と第2結晶層との間にはマスク層が挟まれている窒化物半導体ウェハ。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/02
FI (3)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z
F-Term (34)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC10 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EF03 ,  4G077EJ09 ,  4G077FB07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F045DA63 ,  5F045DB01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM