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J-GLOBAL ID：200903047990043320

圧力センサ

Inventor：
酒井 重史

About 酒井 重史

, 
阿部 宗光

About 阿部 宗光


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (6)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦 ,  高柴 忠夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004009710
Publication number (International publication number)：2005201818
Application date： Jan. 16, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：
【課題】 長期間の信頼性に優れ、高圧化に伴う耐性も備え、しかも量産性に優れたプロセスで製造できる圧力センサを提供する。また、小型で特性のばらつきが少ない圧力センサを提供する。【解決手段】 SOI基板とガラス基板を陽極接合で接合し、シリコン層の一部に周囲をSOI基板の絶縁層まで達する溝で囲まれたシリコンアイランドを形成し、さらに、ガラス基板を貫通して貫通孔を形成し、該貫通孔内部に導電性材料からなる取り出し電極を有し、かつ、前記ガラス基板に形成した電極と取出電極とが、前記シリコンアイランドを介して電気的に接合されている圧力センサ。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
電極間の容量の変化により圧力を測定する容量型の圧力センサであって、被測定圧力を受けて変位する感圧ダイヤフラム部の形成されたSOI基板と、そのSOI基板と陽極接合されたガラス基板と、前記両基板の接合面の内部であって前記感圧ダイヤフラム部の形成された位置に対応する位置に密封されて形成され、測定圧の基準値を与える微小ギャップの基準圧室とを備え、前記SOI基板のシリコン層表面に形成された第1の電極を具備し、該基準圧室の前記感圧ダイヤフラム部に対向する前記ガラス基板表面には導電性材料により形成された第2の電極が設けられ、前記ガラス基板と接合するSOI基板のシリコン層の一部に、周囲をSOI基板の絶縁層まで達する溝で囲まれたシリコンアイランドを有し、さらに、前記ガラス基板の前記基準圧室の近傍に、前記ガラス基板を貫通して明けられた第2の貫通孔と、前記第2の貫通孔内部には導電性材料からなる第2の取り出し電極を有しており、かつ、前記第2の電極と第2の取り出し電極とが、前記シリコンアイランドを介して電気的に接合されていることを特徴とする圧力センサ。
IPC (2)：
G01L9/00 ,  H01L29/84
FI (2)：
G01L9/00 305A ,  H01L29/84 Z
F-Term (23)：
2F055AA40 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF11 ,  2F055FF38 ,  2F055GG11 ,  2F055GG13 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112DA03 ,  4M112DA09 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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