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J-GLOBAL ID：200903048038034934

非化学機械研磨用水溶液、研磨剤セット及び化学機械研磨方法

Inventor： 服部 雅幸 ,  仕田 裕貴 ,  川橋 信夫 ,  矢野 博之
Applicant, Patent owner： JSR株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (2)： 小島 清路 ,  谷口 直也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003132270
Publication number (International publication number)：2004335896
Application date： May. 09, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】金属配線上に腐食を発生させず、砥粒残りのない製品の歩留まりを向上させる非化学機械研磨用水溶液、研磨剤セット及び化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】本化学機械研磨用水溶液は、砥粒を含有せず、電気伝導度が0.5〜5000μS/cmである(クエン酸水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等)。本化学機械研磨方法は、砥粒を含む化学機械研磨用水系分散体(シリカ粒子含有分散体)を用いた化学機械研磨工程と、上記非化学機械研磨用水溶液を用いた非化学機械研磨工程と、を備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

砥粒を含有せず、電気伝導度が0.5〜5000μS/cmであることを特徴とする非化学機械研磨用水溶液。

IPC (3)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (5)：

H01L21/304 622C ,  H01L21/304 621D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z

F-Term (6)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB06 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-323994   Applicant：日立化成工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-275593   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭59-218731
  
• CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-197276   Applicant：日立化成工業株式会社
• 研磨用組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-261521   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 少ない欠陥のための後CuCMP
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-252771   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• ウエハの化学機械研磨方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-124505   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 金属用研磨液及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-100216   Applicant：日立化成工業株式会社
• 特開昭59-218731