レジストパターン形成方法および半導体デバイスの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：棚井澄雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001316025
Publication number (International publication number)：2003122009
Application date： Oct. 12, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】ビアファーストのデュアルダマシン法により半導体デバイスを製造する場合に、レジスト残りを生じにくいレジストパターン形成方法と半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 (A)水酸基の水素原子の少なくとも一部が酸解離性溶解抑制基で置換されたポリヒドロキシスチレン、及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、前記(A)成分の、塩酸による解離試験後の酸解離性溶解抑制基の残存率が、40%以下である化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いて、レジストパターン形成することにより、半導体デバイスを製造する。

Claim (excerpt)：

基材に、化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布し、選択的露光及び現像を順次施してレジストパターンを形成する方法であって、前記化学増幅型ポジ型レジスト組成物が、(A)水酸基の水素原子の少なくとも一部が酸解離性溶解抑制基で置換されたポリヒドロキシスチレン、及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、前記(A)成分の、塩酸による解離試験後の酸解離性溶解抑制基の残存率が、40%以下であることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027 , H01L 21/768

FI (3)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/90 A

F-Term (29)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025DA30 , 2H025DA40 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033WW09 , 5F033XX03 , 5F033XX21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-049097 Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
新規なレジスト材料及びパタ-ン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-173830 Applicant：和光純薬工業株式会社
デュアルダマシンエッチング方法及びそれを用いた半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-280923 Applicant：株式会社日立製作所

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