フラーレン誘導体およびフラーレン複合化レジスト

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：志賀正武 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003286011
Publication number (International publication number)：2005053832
Application date： Aug. 04, 2003
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：

【課題】溶媒への溶解性が高く、特に、レジスト組成物の溶解に通常使用されている溶媒への溶解性が高いフラーレン誘導体を提供する。【解決手段】一般式(1)で表されることを特徴とするフラーレン誘導体。ここで、一般式(1)中、Fは、C30+2m (式中、m=3〜20)で表されるフラーレン基であり、R1、R2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アリール基置換アルキル基、アルキル基置換アリール基のいずれかである。nは1〜8の整数である。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

一般式(1)で表されることを特徴とするフラーレン誘導体。ここで、一般式(1)中、 Fは、C30+2m (式中、m=3〜20)で表されるフラーレン基であり、 R1、R2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アリール基置換アルキル基、アルキル基置換アリール基のいずれかである。なお、アルキル基、アリール基、アリール基置換アルキル基、アルキル基置換アリール基の水素原子は、R3基、COOR3基、OCOR3基、CONR3R4基、NR3R4基、NO2基、CN基、F基、Cl基、Br基で置換されていてもよい(ただし、R3、R4は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アリール基置換アルキル基、アルキル基置換アリール基のいずれかである。また、R3基以外はR3が水素であってもよいし、R4が水素であってもよい)。また、アルキル基を構成する-CH2-は、-CH=CH-、-O-、-CO-、-COO-、-NH-、-CONH-に置換されていてもよい。 nは1〜8の整数である。

IPC (4)：

C07C13/64 , C07C39/23 , C07C211/53 , G03F7/004

FI (4)：

C07C13/64 , C07C39/23 , C07C211/53 , G03F7/004 501

F-Term (11)：

2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB92 , 4H006FC56 , 4H006FE13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

レジスト組成物及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-149744 Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (6)

フラーレン誘導体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-282457 Applicant：日本電信電話株式会社
フラーレン誘導体およびそれの重合体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-115128 Applicant：ヘキストインダストリー株式会社
フレレン誘導体、それらの調製方法及びそれらの使用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-245976 Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

Thin Solid Films,(2002),403-404,p.297-301
Chemical Physics Letters,(1999),312(5,6),p.469-74
Chemical Abstracts,vol.129,abs.no.37326

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