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J-GLOBAL ID：200903048928117373

縦型ゲート半導体装置及びその製造方法

Inventor：
溝口 修二

About 溝口 修二


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007112796
Publication number (International publication number)：2008042166
Application date： Apr. 23, 2007
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：
【課題】縦型ゲート半導体装置において、ソース領域と配線層とのコンタクト部の面積を小さくすることなく、ボディー領域と配線層とのコンタクト部の面積を大きくする。【解決手段】トレンチ6の上部に凹部が残るようにゲート電極10を形成すると共に当該凹部が途中まで埋まるようにゲート電極10上に絶縁膜11を形成することによって、ソース領域15と配線層とのコンタクト部をトレンチ6の壁面に設定すると共にボディー領域13及び16と配線層とのコンタクト部をトレンチ6の壁面及びボディー領域16の上面に設定する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成された第1導電型のドレイン領域と、 前記ドレイン領域の上側に設けられた第2導電型の第1ボディー領域と、 前記第1ボディー領域を貫通して形成されたトレンチと、 前記トレンチの上部に凹部が残るように前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記凹部が途中まで埋まるように前記ゲート電極の上に形成された絶縁膜と、 少なくとも前記ゲート電極の上部とオーバーラップするように、少なくとも前記トレンチの壁部となる前記第1ボディー領域の上部の一領域に形成された第1導電型のソース領域と、 前記トレンチの延びる方向に沿って前記ソース領域と隣り合うように、前記第1ボディー領域の上部の他領域に形成された第2導電型の第2ボディー領域と、 前記ソース領域及び前記第2ボディー領域のそれぞれの上部に形成された第2導電型の第3ボディー領域と、 前記ソース領域、前記第2ボディー領域及び前記第3ボディー領域のそれぞれとコンタクトする配線層とを備えていることを特徴とする縦型ゲート半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6)：
H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652A ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第2662217号公報
Cited by examiner (8)
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