Pat
J-GLOBAL ID:200903049042098455
LEDデバイス
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
青山 葆
, 河宮 治
, 山崎 宏
, 前田 厚司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002293693
Publication number (International publication number):2004128393
Application date: Oct. 07, 2002
Publication date: Apr. 22, 2004
Summary:
【課題】色再現性がよく、高輝度な光源としてのLEDデバイスを提供する。【解決手段】上面開口のすり鉢状の凹部4を有し、凹部4の内壁面を反射面4aとした枠体2と、凹部4の内底面に配置されたLEDチップ5と、LEDチップ5からの発光の一部を吸収し、波長変換して発光する蛍光体7a,b,cを含み、凹部4内に充填された透光性の樹脂10とを備えるLEDデバイス1において、反射面4aに蛍光体7a,b,cを含む蛍光体層6a,b,cを形成した。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
上面開口のすり鉢状の凹部を有し、該凹部の内壁面を反射面とした枠体と、前記凹部の内底面に配置されたLEDチップと、該LEDチップからの発光の一部を吸収し、波長変換して発光する蛍光体を含み、前記凹部内に充填された樹脂とを備えるLEDデバイスにおいて、
前記反射面に前記蛍光体を含む蛍光体層を形成したことを特徴とするLEDデバイス。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (10):
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041DA14
, 5F041DA19
, 5F041DA36
, 5F041DA44
, 5F041DA46
, 5F041DA58
, 5F041EE23
, 5F041EE25
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (20)
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半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-322692
Applicant:株式会社東芝
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半導体発光装置
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Application number:特願平10-165599
Applicant:株式会社朝日ラバー
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発光ダイオード及びLED表示器の形成方法
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Application number:特願平9-201311
Applicant:日亜化学工業株式会社
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特開平4-020587
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発光ダイオード
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Application number:特願平9-254379
Applicant:沖電気工業株式会社
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発光ダイオード表示装置およびそれを利用した画像表示装置
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Application number:特願平9-045729
Applicant:株式会社光波, 豊田合成株式会社
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照明装置
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Application number:特願2000-157461
Applicant:松下電工株式会社
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Application number:特願2000-259967
Applicant:株式会社シチズン電子
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発光ダイオード
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Application number:特願平11-372440
Applicant:岩崎電気株式会社, 豊田合成株式会社
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Application number:特願2000-198363
Applicant:日亜化学工業株式会社
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Applicant:向田幸弘
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発光装置及びその形成方法
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Application number:特願2000-386209
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発光装置及びそれを用いたLED表示器
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Application number:特願平8-350253
Applicant:日亜化学工業株式会社
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発光ダイオード
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Application number:特願2000-163055
Applicant:東芝ライテック株式会社
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Application number:特願平11-125422
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ヒートパイプを備えた半導体光素子
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Application number:特願2000-274263
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光半導体装置および製造方法
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Application number:特願2001-311118
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Application number:特願平10-047944
Applicant:サンケン電気株式会社
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