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J-GLOBAL ID：200903049937410411

レジストパターンの形成方法

Inventor： ▲高▼橋 真 ,  武智 敏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996049946
Publication number (International publication number)：1997244261
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 レジストパターンの形成方法に関し、レジスト膜中への現像液の浸透性を高め、パターンプロファイルを改善することを目的とする。【解決手段】 保護されたアルカリ可溶性基を有しかつその保護基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を含む重合体又は共重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジストを被処理基板上に塗布し、形成されたレジスト膜を前記酸発生剤からの酸の発生を惹起し得る放射線に選択的に露光し、そして前記露光工程においてレジスト膜上に形成された潜像を、高級アルキル基を含有する界面活性剤の存在において有機アルカリ水溶液で現像すること、を含むように構成する。

Claim (excerpt)：

保護されたアルカリ可溶性基を有しかつその保護基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を含む重合体又は共重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジストを被処理基板上に塗布し、形成されたレジスト膜を前記酸発生剤からの酸の発生を惹起し得る放射線に選択的に露光し、そして前記露光工程においてレジスト膜上に形成された潜像を、高級アルキル基を含有する界面活性剤の存在において有機アルカリ水溶液で現像すること、を含んでなることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• フォトレジスト層用の現像剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-133932   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
• レジスト用現像液組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-291530   Applicant：東京応化工業株式会社
• ポジ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-155932   Applicant：三菱化学株式会社
• レジスト現像液及びパタン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-310896   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平4-204454
  
• 特公平4-051020
  
• 化学増幅型ポジレジストの現像方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-085651   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-097140   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 橋かけ環式アルキル基を有するスルホニウム塩化合物、光酸発生剤、それを含有する感光性樹脂組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-162244   Applicant：日本電気株式会社