誘電体膜の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法、誘電体膜、圧電体素子、及び液体噴射装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：栗原浩之 , 村中克年
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006056096
Publication number (International publication number)：2006306709
Application date： Mar. 02, 2006
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：

【課題】比較的容易に結晶状態を制御し、常に安定した特性が得られる誘電体膜の製造方法及び圧電素子の特性を向上することができる圧電素子の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも鉛成分を含む誘電体膜を構成する金属を含む有機金属化合物を含有するコロイド溶液を塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、該誘電体前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、前記誘電体前駆体膜を脱脂する脱脂工程と、前記誘電体前駆体膜を焼成して誘電体膜とする焼成工程とを有し、前記乾燥工程は、前記誘電体前駆体膜を前記材料の主溶媒である溶剤の沸点よりも低い温度に加熱して一定時間保持することで乾燥させる第1の乾燥工程と、前記誘電体前駆体膜を140°C〜170°Cの範囲で乾燥させる第2の乾燥工程とを有し、前記脱脂工程は、脱脂の温度が350°C〜450°Cとされると共に、昇温レートが15[°C/sec]以上とされ、前記焼成工程は、昇温レートが100[°C/sec]〜150[°C/sec]とされる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも鉛成分を含む誘電体膜を構成する金属を含む有機金属化合物を含有するコロイド溶液を塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、該誘電体前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、前記誘電体前駆体膜を脱脂する脱脂工程と、前記誘電体前駆体膜を焼成して誘電体膜とする焼成工程とを有し、前記乾燥工程は、前記誘電体前駆体膜を前記材料の主溶媒である溶剤の沸点よりも低い温度に加熱して一定時間保持することで乾燥させる第1の乾燥工程と、前記誘電体前駆体膜を140°C〜170°Cの範囲で乾燥させる第2の乾燥工程とを有し、前記脱脂工程は、脱脂の温度が350°C〜450°Cとされると共に、昇温レートが15[°C/sec]以上とされ、前記焼成工程は、昇温レートが100[°C/sec]〜150[°C/sec]とされたことを特徴とする誘電体膜の製造方法。

IPC (10)：

C04B 35/49 , H01L 41/09 , H01L 41/187 , H01L 41/18 , H01L 41/24 , H01L 41/22 , H01L 21/316 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , B41J 2/16

FI (12)：

C04B35/49 A , H01L41/08 J , H01L41/18 101B , H01L41/18 101C , H01L41/18 101E , H01L41/18 101F , H01L41/18 101Z , H01L41/22 A , H01L41/22 Z , H01L21/316 G , B41J3/04 103A , B41J3/04 103H

F-Term (26)：

2C057AF93 , 2C057AG12 , 2C057AG44 , 2C057AP02 , 2C057AP14 , 2C057AP22 , 2C057AP24 , 2C057AP33 , 2C057AP34 , 2C057AP56 , 2C057AP57 , 2C057AQ02 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA32 , 4G031BA09 , 4G031BA10 , 4G031CA08 , 4G031GA02 , 4G031GA06 , 4G031GA07 , 5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F058BH01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

圧電体薄膜およびその製造法ならびにそれを用いたインクジェット記録ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-032346 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-162532 Applicant：ローム株式会社
PZT薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-275956 Applicant：日電アネルバ株式会社

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Cited by examiner (8)

PZT薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-275956 Applicant：日電アネルバ株式会社
圧電体薄膜素子、その製造方法、及び圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-245353 Applicant：セイコーエプソン株式会社
圧電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-329769 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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