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J-GLOBAL ID：200903051372799837

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 村上 聡 ,  アンソニー ホッブス ,  中村 友二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998247002
Publication number (International publication number)：2000077519
Application date： Sep. 01, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 埋め込み配線間や埋め込みプラグ間の絶縁耐圧が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板10上に形成された第1の絶縁層34と、第1の絶縁層34に形成された溝38a、38b内に埋め込まれた配線44とを有し、配線44の上部が第1の絶縁層34から突出している。

Claim (excerpt)：

下地基板上に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に形成された溝内に埋め込まれた配線とを有し、前記配線の上部が前記第1の絶縁層から突出していることを特徴とする半導体装置。

F-Term (29)：

5F033AA05 ,  5F033AA12 ,  5F033AA13 ,  5F033AA23 ,  5F033AA25 ,  5F033AA28 ,  5F033AA29 ,  5F033AA61 ,  5F033AA64 ,  5F033BA15 ,  5F033BA16 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033BA37 ,  5F033BA41 ,  5F033BA45 ,  5F033BA46 ,  5F033CA09 ,  5F033DA06 ,  5F033DA08 ,  5F033DA15 ,  5F033DA28 ,  5F033EA03 ,  5F033EA19 ,  5F033EA25 ,  5F033EA26 ,  5F033EA28 ,  5F033EA29 ,  5F033EA33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-204525   Applicant：株式会社東芝
• 配線構造およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-322937   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-095522   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-002391   Applicant：株式会社日立製作所
• 低誘電率膜を有する半導体装置、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-109983   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-070479   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-122960   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210624   Applicant：株式会社東芝