低誘電率膜を有する半導体装置、およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998109983
Publication number (International publication number)：1999307633
Application date： Apr. 20, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】いわゆるダマシン法により配線を形成するにあたり、低誘電率有機膜を層間絶縁膜に用いる場合の、有機膜が従来の無機膜に比して柔らかい、熱伝導性に劣るなどの問題点を解決する半導体装置、および該半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上に形成された比誘電率が3.0以下の誘電体有機膜と、該誘電体有機膜中に絶縁膜に接する配線膜を有し、前記配線膜の上面が前記誘電体有機膜の上面よりも高く形成された半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上に形成された比誘電率が3.0以下の誘電体膜と、該誘電体膜中に前記絶縁膜に接する配線層とを有し、前記配線層の上面が前記誘電体膜の上面よりも高く形成されている、半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/768 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/31 , C08F214/18 , C08G 73/10

FI (7)：

H01L 21/90 S , H01L 21/312 A , H01L 21/316 G , C08F214/18 , C08G 73/10 , H01L 21/90 A , H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-249984 Applicant：株式会社東芝
半導体基板に形成された空洞の中にチタン元素フリーのライナを沈着する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-331129 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体デバイスの空洞を充填する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-128523 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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