めっき方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：渡邉勇 , 堀田信太郎 , 小杉良二 , 森友宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003423419
Publication number (International publication number)：2004218080
Application date： Dec. 19, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】例え高アスペスト比な凹部であっても、この凹部内に欠陥のない健全な導電材料からなる埋込み配線を形成でき、更に、基板表面に微細穴と大穴が混在しても、めっき膜の平坦性を向上させて、その後のCMP加工をディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができるようにする。【解決手段】カソード電極に接続される基板の表面とアノード電極との間に高抵抗構造体を配置し、前記カソード電極と前記アノード電極との間に一定電圧を印加しながら、前記基板と前記アノード電極との間をめっき液で満たし、前記カソード電極と前記アノード電極との間を流れる電流を一定に制御しながら前記基板の表面にめっき膜を成長させる。【選択図】図12

Claim (excerpt)：

カソード電極に接続される基板の表面とアノード電極との間に高抵抗構造体を配置し、前記カソード電極と前記アノード電極との間に電圧を印加しながら、前記基板と前記アノード電極との間をめっき液で満たし、前記カソード電極と前記アノード電極との間を流れる電流を一定に制御しながら前記基板の表面にめっき膜を成長させることを特徴とするめっき方法。

IPC (3)：

C25D7/12 , C25D21/12 , H01L21/288

FI (3)：

C25D7/12 , C25D21/12 A , H01L21/288 E

F-Term (20)：

4K024AA09 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CA06 , 4K024CA07 , 4K024CB01 , 4K024CB02 , 4K024CB03 , 4K024CB04 , 4K024CB08 , 4K024CB11 , 4K024CB18 , 4K024DA10 , 4K024DB07 , 4K024DB10 , 4M104BB04 , 4M104DD09 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

電解処理方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-396188 Applicant：株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
電解処理装置及びその電場状態制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-131879 Applicant：株式会社荏原製作所, 株式会社東芝
カップ式めっき方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-205531 Applicant：日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社

Show all

Return to Previous Page