半導体ウェハの熱処理装置および方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003064402
Publication number (International publication number)：2004134723
Application date： Mar. 11, 2003
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】半導体ウェハの面内での線幅などのばらつきを抑制するように熱処理を行うことができる半導体ウェハの熱処理装置と熱処理方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハを所定の温度に加熱処理する加熱板10と、加熱板上に戴置された半導体ウェハまたは半導体ウェハ相当物を加熱処理するときの温度を複数の領域に分割して測定する温度測定部13と、半導体ウェハの温度を制御する制御部12とを有し、温度測定部13による温度の測定結果に応じて制御部12により半導体ウェハを加熱するときの温度を複数の領域毎に制御する構成とする。また、加熱処理後の冷却時において、温度測定部による温度の測定結果に応じて制御部により半導体ウェハを冷却するときの温度を複数の領域毎に制御する構成とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体ウェハを所定の温度に加熱処理する加熱板と、前記加熱板上に戴置された半導体ウェハまたは半導体ウェハ相当物を加熱処理するときの温度を複数の領域に分割して測定する温度測定部と、前記半導体ウェハの温度を制御する制御部とを有し、前記温度測定部による温度の測定結果に応じて前記制御部により前記半導体ウェハを加熱するときの温度を前記複数の領域毎に制御する半導体ウェハの熱処理装置。

IPC (3)：

H01L21/027 , H01L21/02 , H05B3/00

FI (4)：

H01L21/30 567 , H01L21/02 B , H05B3/00 310E , H05B3/00 370

F-Term (10)：

3K058AA42 , 3K058AA86 , 3K058AA88 , 3K058CA12 , 3K058CA28 , 3K058CE19 , 3K058CE23 , 3K058CE26 , 5F046KA04 , 5F046KA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-357411 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
レジスト処理方法および装置ならびにレジスト塗布方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-072012 Applicant：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
熱処理方法及び熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-228135 Applicant：株式会社東芝

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