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J-GLOBAL ID：200903052982252690

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor：
竹下 優

About 竹下 優


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008097432
Publication number (International publication number)：2009193041
Application date： Apr. 03, 2008
Publication date： Aug. 27, 2009
Summary：
【課題】ダブルパターニングによるレジストパターンの形成において、第二のレジスト組成物として用いることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】ポジ型レジスト組成物からなる第一のレジスト膜から形成された第一のレジストパターンが形成された支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成した後、選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する方法において、特定構造の構成単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とが、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤(S)に溶解してなる、前記第二のレジスト膜を形成するために用いられるポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むポジ型レジストパターン形成方法において、前記第二のレジスト膜を形成するために用いられるポジ型レジスト組成物であって、 酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とが、有機溶剤(S)に溶解してなり、 前記有機溶剤(S)が、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤であり、 前記樹脂成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)と、下記一般式(a0-2)で表される構成単位(a0-2)とを有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (5)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28
FI (5)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/40 511 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/28
F-Term (51)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA02 ,  2H096JA04 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA22R ,  4J100BC04P ,  4J100BC04S ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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