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J-GLOBAL ID：200903098451039704

フォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor：
安藤 友之

About 安藤 友之


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004351702
Publication number (International publication number)：2006162797
Application date： Dec. 03, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：
【課題】 寸法制御性に優れたフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 アルカリ可溶性の構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位(a2)とを有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有し、前記構成単位(a1)が、(α-メチル)ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a11)を有し、前記構成単位(a2)が、下記一般式(II)で表される酸解離性溶解抑制基(II)と、鎖状第3級アルコキシカルボニル基、鎖状第3級アルキル基、および鎖状第3級アルコキシカルボニルアルキル基からなる群から選択される少なくとも1種の酸解離性溶解抑制基(III)とを有するフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物。【化1】【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
アルカリ可溶性の構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位(a2)とを有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有し、 前記構成単位(a1)が、(α-メチル)ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a11)を有し、 前記構成単位(a2)が、下記一般式(II)
IPC (3)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
F-Term (16)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB20 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (14)
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