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J-GLOBAL ID：200903053930869653

厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物

Inventor： 牧井 利道 ,  西脇 良典 ,  明石 一通
Applicant, Patent owner： クラリアント インターナショナル リミテッド
Agent (2)： 鐘尾 宏紀 ,  野口 武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003373069
Publication number (International publication number)：2005134800
Application date： Oct. 31, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：

【課題】磁気ヘッドの磁極やバンプの形成など厚膜レジストパターンの形成が要求される感光性樹脂組成物において、高感度、高残膜性、良好な塗布性、高解像度、良好なパターン形状を有し、耐熱性に優れたパターンが得られる厚膜並びに超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物を提供する。【解決手段】(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)それ自身はアルカリに不溶または難溶であるが、酸の作用によりアルカリに可溶となる樹脂または化合物、(C)酸発生剤、(D)キノンジアジド基を含む感光剤、必要に応じ(E)アルカリ可溶性アクリル系樹脂および(F)膜質改善のための架橋剤を含有する化学増幅型感光性樹脂組成物。

Claim (excerpt)：

(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)それ自身はアルカリに不溶または難溶であるが、酸の作用により可溶となる樹脂または化合物、(C)酸発生剤および(D)キノンジアジド基を含む感光剤を含有することを特徴とする化学増幅型感光性樹脂組成物。

IPC (3)：

G03F7/039 ,  C08G2/18 ,  H01L21/027

FI (3)：

G03F7/039 601 ,  C08G2/18 ,  H01L21/30 502R

F-Term (19)：

2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE01 ,  2H025BG00 ,  2H025CB29 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J032AA02 ,  4J032AA03 ,  4J032AA07 ,  4J032AA08 ,  4J032AA19 ,  4J032AA31 ,  4J032AB04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

• 特公昭54-23570号公報(1頁)
  
• 特開平4-182650号公報(1頁、3〜5頁)
  
• 感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-090853   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-132408   Applicant：東京応化工業株式会社
• 特公昭56-30850号公報(1頁)
  
• 特開昭55-73045号公報(1〜4頁)
  
• 特開昭61-205933号公報(1頁、3〜5頁)
  
• 特開昭53-133429号公報(1〜17頁)
  
• 特開昭57-37349号公報(1〜6頁)
  
• 特開昭58-114031号公報(1〜5頁)
  
• 特開昭62-124556号公報(1〜4頁)
  
• 特開昭62-215947号公報(1頁、3〜5頁)
  

Cited by examiner (10)

• ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いるパターン形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-025870   Applicant：日本化薬株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-162179   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-027211   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 架橋基を有する高分子化合物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-110396   Applicant：信越化学工業株式会社
• 特開昭64-003647
  
• 特開昭63-010153
  
• 厚膜レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-177561   Applicant：クラリアントジャパン株式会社
• 厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-061565   Applicant：東京応化工業株式会社
• ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-132408   Applicant：東京応化工業株式会社
• 感光性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-362994   Applicant：クラリアントジャパン株式会社