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J-GLOBAL ID：200903053960649992

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor：
大久保 伸洋

About 大久保 伸洋


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001053320
Publication number (International publication number)：2002261387
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 光出射端面近傍の活性層領域でCODが発生しやすくなり、高出力駆動時の最大光出力の低下を引き起こし、十分な長期信頼性が得られない。【解決手段】 一対のクラッド層で挟まれた活性層を備えた半導体レーザ素子において、少なくとも、そのレーザ共振器端面近傍領域に水素原子が含まれており、且つ、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のバンドギャップが、レーザ共振器内部領域の活性層のバンドギャップよりも大きくてなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
一対のクラッド層で挟まれた活性層を備えた半導体レーザ素子において、少なくとも、そのレーザ共振器端面近傍領域に水素原子が含まれており、且つ、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のバンドギャップが、レーザ共振器内部領域の活性層のバンドギャップよりも大きくてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/343
F-Term (12)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073CA14 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F073DA15 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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