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J-GLOBAL ID：200903054074694444

半導体構造体および半導体装置の製造方法

Inventor：
横川 俊哉

About 横川 俊哉

, 
吉井 重雄

About 吉井 重雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039445
Publication number (International publication number)：1997232633
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】 II-VI族半導体レーザ等の低コンタクト抵抗のp型オーム性電極構造体を提供する。【解決手段】 ZnSe系II-VI族半導体を用いた青色半導体レーザである。Siをドープしたn型GaAs基板11上に、Clをドープしたn型ZnSe層12、Clをドープしたn型ZnSSeクラッド層13、Clをドープしたn型ZnMgSSeクラッド層14、Clをドープしたn型ZnSSe光導波層15、ZnCdSe活性層16、Nをドープしたp型ZnSSe光導波層17、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層18、Nをドープしたp型ZnSSe層19、Nをドープしたp型ZnSe層110、アモルファスTe層111、絶縁層112である。Teアモルファス層111をコンタクト層に用いることにより、低いコンタクト抵抗が得られる。
Claim (excerpt)：
基板上に形成した半導体多層膜と、前記多層膜上に形成したアモルファス半導体層と、前記アモルファス半導体層上に形成した金属電極とを備えたことを特徴とする半導体構造体。
IPC (6)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/363 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205
FI (6)：
H01L 33/00 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/363 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (26)
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