プラズマ処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003299045
Publication number (International publication number)：2004103578
Application date： Aug. 22, 2003
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】セラミックス層が設けられた電極を用いてプラズマ処理を行う際、電極に設けられたセラミックス層が外気に触れる環境下であっても、被処理体に対して均一なプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】互いに対向する一対の対向電極2,2と、前記対向電極2、2の対向面に設けられたセラミックス層3,3とを有する放電電極1を用いて、前記対向電極2,2の間に形成される放電空間10に発生するプラズマによって被処理体Sにプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記放電電極1を室温よりも10°C以上高い温度に保持した後、プラズマ処理を開始する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに対向する第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極の対向面に設けられたセラミックス層とを有する放電電極を用いて、前記第1の電極と第2の電極との間に発生するプラズマによって被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記放電電極を室温よりも10°C以上高い温度に保持した後、プラズマ処理を開始することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H05H1/24 , B01J19/08 , B08B7/00 , H01L21/3065

FI (4)：

H05H1/24 , B01J19/08 E , B08B7/00 , H01L21/302 101E

F-Term (22)：

3B116AA01 , 3B116AB13 , 3B116BB82 , 3B116BC01 , 4G075AA22 , 4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA63 , 4G075BA10 , 4G075BC02 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075BC10 , 4G075CA03 , 4G075CA15 , 4G075CA62 , 4G075EB42 , 4G075EC21 , 4G075FB04 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004CA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

放電プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-298024 Applicant：積水化学工業株式会社

Cited by examiner (6)

酸化珪素膜の形成方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-369493 Applicant：積水化学工業株式会社
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-155549 Applicant：松下電工株式会社
無機材料によるポリマー系固体デバイスのカプセル封入
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-564416 Applicant：ユニアックスコーポレイション

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