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J-GLOBAL ID:200903054543353807

ポジ型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003095805
Publication number (International publication number):2004302199
Application date: Mar. 31, 2003
Publication date: Oct. 28, 2004
Summary:
【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、PEB時間依存性が小さい遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】すべての繰り返し単位がアクリル単位であり、脂環基を有し、芳香族基を有しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が向上する樹脂(A)、繰り返し単位としてアクリル単位とメタクリル単位を含有し、芳香族基を有しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が向上する樹脂(B)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
すべての繰り返し単位がアクリル単位であり、脂環基を有し、芳香族基を有しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が向上する樹脂(A)、繰り返し単位としてアクリル単位とメタクリル単位を含有し、芳香族基を有しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が向上する樹脂(B)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (2):
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2):
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (11):
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB60
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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