レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002239633
Publication number (International publication number)：2003140332
Application date： Aug. 20, 2002
Publication date： May. 14, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】芳香族置換基を含まない高分子構造体であるベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有してなるレジスト材料において、上記酸発生剤が、パーフルオロアルキルエーテルスルホン酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明の酸発生剤を添加したレジスト材料は、特に解像性に優れ、孤立パターンと密集パターンの寸法差が小さくかつラインエッジラフネスも小さいという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

芳香族置換基を含まない高分子構造体であるベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有してなるレジスト材料において、上記酸発生剤が、パーフルオロアルキルエーテルスルホン酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

F-Term (15)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB32 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-188670 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-132546 Applicant：富士写真フイルム株式会社
フォトレジストのためのパーフルオロアルキルスルフォン酸化合物
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-579891 Applicant：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド

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