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J-GLOBAL ID：200903055946691199

窒化ガリウム系化合物半導体素子

Inventor：
川田 康博

About 川田 康博

, 
長濱 慎一

About 長濱 慎一


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001257306
Publication number (International publication number)：2003069075
Application date： Aug. 28, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体内部の光の多重反射により起こる干渉を抑えることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させる。【構成】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させ、サファイア基板を研磨又は剥離除去し、窒化ガリウム系化合物半導体の裏面がエッチングにより非鏡面とされている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。サファイア基板を除去することにより、サファイアと窒化ガリウムの屈折率の違いよる界面での干渉が無くなり、かつ、非鏡面にすることによって表面で乱反射させることでダブルの効果で出力を向上させる。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体基板の素子を積層する面に対向する面が凹凸を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/306
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/306 B
F-Term (12)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD12 ,  5F043DD16 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (9)
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