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J-GLOBAL ID：200903056084102670

トンネル型磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 西村 和正 ,  斎藤 正路 ,  石曽根 昌彦 ,  清野 拓哉 ,  長谷川 直也
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (2)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005302822
Publication number (International publication number)：2007115745
Application date： Oct. 18, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：

【課題】 特に、抵抗変化率(ΔR/R)を高い値に維持しつつ、低いRA、及び、低い層間結合磁界(Hin)を得ることが可能なトンネル型磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 第2固定磁性層4cの上面4c1はプラズマ処理されて界面改質処理がされており、前記第2固定磁性層4cの直上に形成される絶縁障壁層5が酸化チタンで形成されることで、抵抗変化率(ΔR/R)を高い値に維持しつつ、低いRA、及び、低い層間結合磁界(Hin)を得ることが可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下から第1の強磁性層、絶縁障壁層、第2の強磁性層の順に積層され、一方の前記強磁性層は、磁化が固定される固定磁性層で、他方の前記強磁性層は、磁化が外部磁界により変動するフリー磁性層であり、 前記第1の強磁性層の上面は、プラズマ処理されて界面改質処理がされており、 前記絶縁障壁層は酸化チタンで形成されていることを特徴とするトンネル型磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (4)：

H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39

F-Term (2)：

5D034BA03 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 磁気トンネル接合素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-386883   Applicant：三星電子株式会社
• 薄膜磁気ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-198287   Applicant：アルプス電気株式会社
• スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278723   Applicant：アネルバ株式会社

Cited by examiner (5)

• トンネル磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-208441   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 薄膜磁気ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-198287   Applicant：アルプス電気株式会社
• スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278723   Applicant：アネルバ株式会社
• 強磁性トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-316443   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁界検出器、および磁気抵抗効果素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-070839   Applicant：三菱電機株式会社