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J-GLOBAL ID:200903056937212128

微粒子配列膜形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 酒井 宏明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001384767
Publication number (International publication number):2003181275
Application date: Dec. 18, 2001
Publication date: Jul. 02, 2003
Summary:
【要約】【課題】 基板上に微粒子配列膜を形成する際に、欠陥の発生位置を所定の位置に制御可能とし、その他の位置では欠陥の無い高品質の微粒子配列膜を得ることができるようにする。【解決手段】 シリコンウェハ1を洗浄し、窒素雰囲気中でフェニルトリクロロシランを溶かしたトルエンに浸漬した後、シリコンウェハを引き上げ、乾燥・ベークすることによりフェニルトリクロロシランの自己組織化単分子層を形成する。そのシリコンウェハ表面に紫外光を櫛状にパターン照射すると、照射された表面は親水性となり、照射されない表面は疎水性を示すパターンが形成される。このシリコンウェハ1をシリカ微粒子を分散させた微粒子分散液5に漬け、周期パターンの方向とほぼ平行に引き上げて微粒子配列膜6を得る。
Claim (excerpt):
基板表面に微粒子分散液を展開し、任意の方向から前記微粒子分散液の分散媒を乾燥させて微粒子配列膜を得る微粒子配列膜形成方法であって、前記基板表面と前記分散媒との親和性が周期的に異なるような周期変調パターンを形成すると共に、その周期方向が微粒子配列膜相と分散液相とによって形成される固相液相界面の移動方向とほぼ平行になっていることを特徴とする微粒子配列膜形成方法。
F-Term (10):
4G075AA24 ,  4G075AA25 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075BA05 ,  4G075BB02 ,  4G075BD16 ,  4G075BD26 ,  4G075CA33 ,  4G075CA47
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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