光検出装置、及びその実装方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (4)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003104477
Publication number (International publication number)：2004311784
Application date： Apr. 08, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】例えば回路基板などに安定して表面実装可能な光検出装置、及びその実装方法を提供すること。【解決手段】透明基板24上に透明導電性電極26(第1電極)、半導体層28、及び電極30(第1電極)を順次積層した受光素子20を、絶縁性基板の第1面及び第2面に露出するように設けられた端子電極32(第2電極)を有する絶縁性基板22の第1面に配設すると共に、透明導電性電極26及び電極30と絶縁性基板22の第1面に露出した端子電極32とを電気的に接続した構成する。そして、このような構成の光検出装置を、その絶縁性基板22の第2面に露出した端子電極32と回路基板の外部端子とが接続するように、回路基板に表面実装する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光を検出するための半導体層、及び前記半導体層と電気的に接続した第1電極を有する受光素子と、前記受光素子を配設するための絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第1面及び第2面に露出するように設けられた第2電極と、を有し、且つ、前記受光素子が前記絶縁性基板の第1面上に配設されると共に、前記第1電極と前記絶縁性基板の前記第1面に露出した前記第2電極とが電気的に接続されている、ことを特徴とする光検出装置。

IPC (2)：

H01L31/02 , H01L31/0264

FI (2)：

H01L31/02 B , H01L31/08 L

F-Term (10)：

5F088AB07 , 5F088BA16 , 5F088BB06 , 5F088CA01 , 5F088CA04 , 5F088FA04 , 5F088GA02 , 5F088JA03 , 5F088JA20 , 5F088LA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-018208 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114942 Applicant：日亜化学工業株式会社
ホトセンサ素子搭載用プラスチック回路成形品及びホトセンサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-003724 Applicant：日立電線株式会社

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