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J-GLOBAL ID：200903057932193342

p型窒化物半導体装置とその製造方法

Inventor： 金子 和
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997005339
Publication number (International publication number)：1998209569
Application date： Jan. 16, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】比較的簡単な方法で低比接触抵抗の金属電極・p型窒化物半導体接合を実現する。【解決手段】p型窒化物半導体上にV族置換型窒化物半導体の中間層を形成し、該中間層上に金属電極を形成するようにしている。中間層を構成する半導体材料としてGaNPAsSb混晶とGaNP混晶、 GaNAs混晶、 GaNSb混晶等が選ばれる。

Claim (excerpt)：

p型窒化物半導体上にV族置換型窒化物半導体の中間層を形成し、該中間層上に金属電極を形成したp型窒化物半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281958   Applicant：三菱化学株式会社
• 半導体装置および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120281   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-239309   Applicant：日本電気株式会社
• 窒素-3属元素化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316597   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• エピタキシャルウエハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-139623   Applicant：三菱化学株式会社
• 埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-304728   Applicant：ゼロックスコーポレイション
• 発光ダイオードアレイ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-009420   Applicant：沖電気工業株式会社