半導体装置及びその作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154865
Publication number (International publication number)：2006013481
Application date： May. 27, 2005
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に形成される第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されるフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極上に形成される第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成される第1のゲート電極とを有する第1のトランジスタと、第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域上に形成される第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に形成される第2のゲート電極とを有する第2のトランジスタとを有し、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは、同一絶縁表面上に形成され、前記フローティングゲート電極は、点在する複数の粒子であることを特徴とする半導体装置。

IPC (10)：

H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/20 , H01L 27/10 , H01L 27/115 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (12)：

H01L29/78 371 , H01L21/20 , H01L27/10 461 , H01L27/10 481 , H01L27/10 434 , H01L29/78 613B , H01L29/78 617K , H01L29/78 627G , H01L29/78 617U , H01L29/78 617L , H01L29/78 613A , H01L29/58 G

F-Term (191)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE09 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 5F083EP17 , 5F083EP24 , 5F083EP43 , 5F083EP54 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083ER21 , 5F083GA05 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA04 , 5F083JA31 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA07 , 5F083ZA08 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F101BA54 , 5F101BB04 , 5F101BD30 , 5F101BD41 , 5F101BH02 , 5F101BH16 , 5F101BH17 , 5F101BH21 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110BB08 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110EE24 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF10 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ14 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL08 , 5F110HL21 , 5F110HL22 , 5F110HL24 , 5F110HM12 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23 , 5F152AA03 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

不揮発性半導体メモリ装置および電荷注入方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-003242 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (10)

メモリ素子およびその製造方法、並びに集積回路および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-321377 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-211113 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開昭48-080283

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