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J-GLOBAL ID：200903084806262093

半導体装置の作製方法

Inventor：
山口 哲司

About 山口 哲司

, 
徳永 肇

About 徳永 肇


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005168061
Publication number (International publication number)：2006032917
Application date： Jun. 08, 2005
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：
【課題】本発明は、信頼性の高く、且つしきい値電圧の変化量を高めることが可能な半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。また、信頼性の高い半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置を、大面積基板を用いて製造する方法を提供する。【解決手段】本発明は、固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングを行い、固溶体の主成分である金属元素の導電層と、シリコン粒子とからなる導電膜を成膜した後、金属元素の導電層を除去してシリコン粒子を露出する。また、当該シリコン粒子をフローティングゲート電極とする半導体不揮発性記憶素子を有する半導体装置を作製する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体領域上に第1絶縁膜を成膜した後、金属元素及び前記金属元素に対する固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングして、前記第1絶縁膜上に前記シリコンで形成される粒子及び前記金属元素層を有する導電膜を成膜し、前記金属元素層を除去して前記シリコンで形成される粒子を露出した後、第2絶縁膜を成膜し、前記第2の絶縁膜上にゲート電極を形成した後、前記第2絶縁膜の露出部をエッチングして前記シリコンで形成される粒子を露出し、前記シリコンで形成される粒子の一部除去してフローティングゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (9)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (7)：
H01L29/78 371 ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/285 S ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/58 G
F-Term (153)：
4M104AA01 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD86 ,  4M104DD88 ,  4M104EE08 ,  4M104EE16 ,  4M104GG16 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BD30 ,  5F101BE07 ,  5F101BH13 ,  5F101BH16 ,  5F101BH17 ,  5F101BH21 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE27 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (7)
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