電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (11)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006179088
Publication number (International publication number)：2007311733
Application date： Jun. 29, 2006
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：

【課題】窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、高耐圧化、かつノーマリオフ動作の実現する。【解決手段】電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にIII族窒化物半導体より構成される下地層とチャネル層と電子供給層とがこの順に形成されており、前記チャネル層の禁制帯幅が前記下地層及び前記電子供給層の禁制帯幅よりも小さいことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (13)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ03 , 5F102GR04 , 5F102GT05 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-303739 Applicant：日本電信電話株式会社
窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ構造とその作製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-206975 Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (5)

へテロ接合トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-550289 Applicant：クリーインコーポレイテッド
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-210989 Applicant：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-054330 Applicant：株式会社東芝

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