半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井昭徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005119791
Publication number (International publication number)：2006100779
Application date： Apr. 18, 2005
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【課題】低コストの製造プロセスを用いて、高良品率で、オン電圧-ターンオフ損失トレードオフおよびオン電圧-耐圧トレードオフの非常に良好なIGBT等の半導体装置を得ること。【解決手段】n-SiC基板29上に酸化膜21を選択的に形成する。この酸化膜21上にゲートポリシリコン22を形成する。ゲートポリシリコン22の表面をゲート酸化膜23で覆い、ゲート酸化膜23の表面を、n-ドリフト層よりも高濃度にn型ドープされたカソード膜24で覆う。このカソード膜24において、n-SiC基板29と接触する部分が高濃度のn+バッファ領域25となり、その隣にpベース領域27を形成し、さらにその隣にn+ソース領域26を形成する。カソード膜24の上に選択的に層間絶縁膜28を形成し、その上にエミッタ電極30を形成する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

第1導電型SiC基板の第1の主面を選択的に覆う第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた多結晶半導体領域と、前記多結晶半導体領域の周囲を囲む第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の窓部において前記SiC基板に接触する第1の第1導電型半導体領域と、前記第1の絶縁膜の窓部の外側において前記第2の絶縁膜の上に設けられた第2の第1導電型半導体領域と、前記第1の第1導電型半導体領域と前記第2の第1導電型半導体領域との間の前記第2の絶縁膜の上に設けられた第1の第2導電型半導体領域と、前記第2の第1導電型半導体領域および前記第1の第2導電型半導体領域の両方に接触する第1の電極と、前記第1の電極と前記第1の第1導電型半導体領域との間に設けられた第3の絶縁膜と、前記SiC基板の第2の主面に沿って設けられた第2の第2導電型半導体領域と、前記第2の第2導電型半導体領域に接触する第2の電極と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 29/739

FI (6)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652B , H01L29/78 652C , H01L29/78 652K , H01L29/78 655A , H01L29/78 655Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-158510 Applicant：株式会社日立製作所
出力半導体回路
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-587385 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-054656 Applicant：三菱電機株式会社

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Cited by examiner (8)

MIS半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-353926 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-253006 Applicant：株式会社豊田中央研究所
炭化珪素半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-301540 Applicant：日産自動車株式会社

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